导电糊、迭层陶瓷电子器件制造方法及迭层陶瓷电子器件<%=id%>

分类号： H01B1/16;H01G4/008;H01G4/30
颁证日：
优先权： 2001.10.5 JP 2001－310383;2002.8.14 JP 2002－236240
申请(专利权)人：株式会社村田制作所
地址：日本京都府
发明 (设计)人：中村有幸;清水基尋;佐野晴信
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：孙敬国
摘要
　本发明揭示一种导电糊、迭层陶瓷电子器件的制造方法及迭层陶瓷电子器件。在导电糊中加上导电金属粉及有机赋形剂，使其含有陶瓷粉。陶瓷粉为Re(La等)、包括Mg及Mn的化合物的至少一种、并且焙烧过的ABO₃系(A为Ba等、B为Ti等)的粉末，具有比金属粉更小的平均粒径，并且是在构成陶瓷层的基体用陶瓷的烧结温度下不烧结的粉末。在迭层陶瓷电容器中，为了不易因烧结时的陶瓷层和内部导体膜间的收缩行为之差别引起产生裂缝等缺陷，所以，在让内部导体膜用的导电糊含有陶瓷粉之同时，做成使得该陶瓷粉不会给陶瓷层的电气特性带来不良影响。
主权项
　权利要求书 1.一种导电糊，用于在包括由基体用陶瓷组成的多层陶瓷层、及沿着前述陶瓷层间特定界面延伸的内部导体膜的迭层电子器件中，形成前述内部导体膜，其特征在于，包括导电金属粉，陶瓷粉，以及有机赋形剂，所述陶瓷粉包括Re(Re为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 Tm、Yb、Ln及Y中至少一种)、从Mg及Mn的化合物中选出的至少一种，并且为焙烧过的ABO3系(A为Ba、或其一部分被转换成Ca及Sr的至少一种、B为 Ti、或其一部分被转换成Zr及Hf的至少一种)的粉末，具有比所述金属粉小的平均粒径，并且为在所述基体用陶瓷的烧结温度下不烧结的粉末。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明