|
|
|
|
|
|
|
分 类 号:
H01L21/00;H01L21/027;H01L21/30;G03F7/00
颁 证 日:
优 先 权:
申请(专利权)人:
南亚科技股份有限公司
地 址:
台湾省桃园县
发 明 (设计)人:
吴元薰
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
北京市柳沈律师事务所
代 理 人:
陈小雯;肖鹂
摘要
一种接触孔洞光刻的辅助设计方法,包括下列步骤:决定曝光机光源的曝光波长;通过曝光机的相扰度、制作工艺整合参数与数值光圈决定最小解像线宽;将上述最小解像线宽通过图案缩小比例还原光掩模上的最小线宽;以及在光掩模上,利用小于上述最小线宽的线型图案连接光掩模中的多个接触孔洞。
主权项
权利要求书
1.一种接触孔洞光刻的辅助设计方法,包括下列步骤:
决定曝光机光源的曝光波长;
通过曝光机的相扰度、制作工艺整合参数与数值光圈决定最小解像线
宽;
将上述最小解像线宽通过图案缩小比例还原光掩模上的最小线宽;以及
在光掩模上,利用小于上述最小线宽的线型图案连接光掩模中的多个接
触孔洞。
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |