单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法<%=id%>

3/00;H01S5/00
颁证日：
优先权： 2001.10.9 JP 2001－311018;2002.9.17 JP 2002－269387
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪市
发明 (设计)人：元木健作;弘田龙;冈久拓司;中畑成二
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
摘要
　一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸面构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。
主权项
　权利要求书 1、一种单晶氮化镓基板，其特征在于，具有表面和背面，表面具有低缺陷单晶区Z和晶体缺陷集合区H、H；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展、有宽；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展、有宽，并在宽度方向两侧具有交界线K、K，介于交界线K与所述低缺陷单晶区Z相接。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明