半导体晶片表面保护用粘结膜及使用其保护该晶片方法<%=id%>

分类号： H01L21/30
颁证日：
优先权： 2001.9.27 JP 2001－295454
申请(专利权)人：三井化学株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：宫川诚史;片冈真;藤井靖久;才本芳久
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京银龙专利代理有限公司
代理人：熊志诚
摘要
　以提供一种具有优良密合性、防破损性和非污染性的半导体晶片表面保护用粘结膜为目的，提供了一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100℃下的储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc ≥3 tb…(1)。
主权项
　权利要求书 1、一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其特征在于：在基材膜的一个表面上设置至少一层中间层，和粘结剂层，粘结剂层(B)在50～100 ℃下储藏弹性模数(G’)最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少一层(C)在50℃下的储藏弹性模数在0.001MPa以上和0.07MPa以下，而且粘结剂层(B)的厚度(tb，单位：微米)与具有上述弹性模数的中间层(C)的总厚度(tc，单位：微米)满足下述关系式(1)：tc≥3tb… (1)。

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