一种制造含有复合缓冲层半导体器件的方法<%=id%>

分类号： H01L21/02;H01L21/316;H01L29/72;H01L29/78;H01L29/861
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：同济大学
地址： 200092上海市杨浦区四平路1239号
发明 (设计)人：陈星弼
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：隆天国际专利商标代理有限公司
代理人：陈红;潘培坤
摘要
　一种制造CB结构耐压层的方法，它是将一块n型半导体片与一块p型半导体片各自均刻了槽，n型材料有槽的地方恰好是p型材料没有槽的地方，反之亦然。两块半导体片的槽深相等，将两块半导体片相对接，使两块半导体片的槽被彼此相互填满，再进行化学键合，键合也可通过薄的介质层(如SiO₂)来进行，必要时可磨、抛或腐蚀去除键合后多余的材料部分，由此容易制得含CB结构耐压层的半导体器件。
主权项
　权利要求书 1.一种制造含有复合缓冲层半导体器件的方法，所包括的步骤是：在第一种导电类型的第一块半导体片上覆盖第一图案的第一掩膜，所述第一图案的第一掩膜使半导体表面有些地方有掩膜覆盖而除这些地方外无掩膜覆盖；腐蚀去除无掩膜覆盖的半导体部分，形成第一个镶嵌状的有第一个深度的槽，它有底部及边墙；在含有第一个镶嵌状的槽的第一块半导体片上，在其槽的边墙上形成一个薄的介质层，和/或在其槽的底部形成一个薄的介质层，和/或在槽的外部的半导体表面形成一个薄的介质层；在第二种导电类型的第二块半导体片上用第二图案的第二掩膜覆盖，所述第二图案的第二掩膜使第二块半导体片上有掩膜覆盖的地方和第一块半导体片的槽的底部形成的图案一致；腐蚀去除第二块半导体片上无掩膜覆盖的半导体部分，形成第二个镶嵌状的槽，它有底部、边墙，并有一个接近于第一个深度的槽深；在含有第二个镶嵌状的槽的第二块半导体片上，在其槽的边墙上形成一个薄的介质层，和/或在其槽的底部形成一个薄的介质层，和/或在槽的外部的半导体表面形成一个薄的介质层；将已形成槽的第二块半导体片的槽的外部的半导体表面与已形成槽的第一块半导体片的槽的底部对接，第二块半导体片的槽的底部与第一块半导体片的槽的外部的半导体表面对接，两块半导体片的槽的边墙与边墙对接，使两块半导体片接合成为一块半导体片；所述合成的一块半导体片中的第一个深度之内形成了复合缓冲层。

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