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分 类 号：
H01L21/3105;H01L21/4757
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
联华电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区
发 明 (设计)人：
杨能辉;林庆福;郑懿芳;蔡正原
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
李晓舒;魏晓刚
摘要
本发明提供一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in-situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。
主权项
权利要求书
1.一种氟硅玻璃(fluorinated silicate gla ，FSG)层表面处理的方法，该方
法包括有下列步骤：
在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层；
现场(in-situ)氧化该氟硅玻璃层的一上表面，以形成一预定厚度的硅氧
层；
在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层；
曝光(exposing)该光致抗蚀剂层，以于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜
在(latent)图案；以及
显影(developing)该光致抗蚀剂层，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀
剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。
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