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一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法<%=id%> |
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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
中国台湾
发 明 (设计)人：
李俊鸿;余旭升;梁明中
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代 理 人：
赵蓉民
摘要
一种能提高在多晶硅蚀刻机(Polysilicon Etcher)中介电材料对硅的蚀刻选择比(Selectivity)的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法为一种干式蚀刻(Dry Etching)法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀刻反应室内的反应气体为四氟化碳(Carbon Tetrafluoride；CF4)/氟代甲烷(CHxFy；x＝2，y＝2或x＝1，y＝3)/氧气(Oxygen；O2)，不但可在多晶硅等离子体蚀刻机中蚀刻介电材料层及多晶硅层，且可大幅提高介电材料对硅的蚀刻选择比，并且可获得笔直的蚀刻外形，和稳定的反应室环境。
主权项
权利要求书
1.一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法，至少包括：
提供一晶片，且该晶片上设有一介电材料层与一硅材料层；
提供多个加速电子；
提供一反应气体，该反应气体至少包括四氟化碳、氟代甲烷、氧
气，且该反应气体与该加速电子碰撞，而生成多个离子、多个原子团、
以及多个原子；以及
以该离子、该原子团、以及该原子蚀刻该介电材料层与该硅材料
层。
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