超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法<%=id%>

分类号： H01L21/336
颁证日：
优先权： 2001.9.4 US 09/945972
申请(专利权)人：夏普公司
地址：日本大阪市
发明 (设计)人：许勝籐
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：梁永
摘要
　超薄SOIMOS晶体管的阈值电压调节方法，包括以下步骤：制备SOI衬底；SOI顶层硅膜厚度减薄到约10nm至50nm；顶层硅膜上形成吸收层；和通过吸收层给顶层硅膜注入离子。
主权项
　权利要求书 1、一种超薄SOIMOS晶体管阈值电压调节方法，包括以下步骤：制备SOI衬底； SOI顶层硅膜厚度减薄到10nm至50nm；顶层硅膜上形成吸收层；和通过吸收层给顶层硅膜注入离子。

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