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分 类 号：
H01L21/82;H01L27/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.4 JP 309053/2001
申请(专利权)人：
富士通株式会社
地 址：
日本神奈川
发 明 (设计)人：
水正竜大
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
李强
摘要
一种半导体集成电路具有使用第一电源电压的第一电路区域和使用不向于第一电源电压的第二电源电压的第二电路区域。第一电路区域是根据按照第一电源电压的第一设计原则所制造的，及第二电路区域是根据按照第二电源电压的第二设计原则所制造的。
主权项
权利要求书
1.一种用于制造一种半导体集成电路的方法，该集成电路具有使
用第一电源电压的第一电路区域和使用不同于所述第一电源电压的第
二电源电压的第二电路区域，其中：
一个第一设计原则根据所述第一电源电压而被应用于所述第一电
路区域；及
一个第二设计原则根据所述第二电源电压而被应用于所述第二电
路区域。
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