|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
H01L23/522;H01L21/768;H01L21/00
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.27 JP 297499/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
塚本和宏
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;梁永
摘要
本发明的课题是，在备有接触层的半导体装置中，使接触电阻降低，同时抑制结漏电。该半导体装置包括：在硅半导体衬底1上形成的导电层3；在导电层3的表层形成的硅化钴膜4、7；覆盖在硅半导体衬底1上的层间绝缘膜5；以及充填层间绝缘膜5的接触孔6、与硅化钴膜4进行电连接的势垒金属膜8和钨膜9，接触孔6的底部的硅化钴膜4、7的下表面的位置比接触孔6的外侧的硅化钴膜4的下表面的位置要低。可在接触孔6的底部确保必要膜厚的硅化钴膜，可使接触电阻降低，同时抑制结漏电。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置，其特征在于：
具有：
在半导体衬底上形成的第1杂质扩散层；
在上述杂质扩散层的表层形成的第1低电阻膜；
覆盖在上述半导体衬底上的绝缘膜；以及
充填上述绝缘膜的第1开口，与上述低电阻膜进行电连接的第1
导电膜，
在上述第1开口的底部的上述第1低电阻膜的下表面的位置低于
上述第1开口的外侧的上述第1低电阻膜的下表面的位置。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
