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    层叠型半导体装置<%=id%>


    分 类 号: H01L25/065;H01L23/00
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.9.29 JP 375022/2001
    申请(专利权)人: 株式会社东芝
    地 址: 日本东京
    发 明 (设计)人: 松尾美惠;今宫贤一
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 北京市中咨律师事务所
    代 理 人: 李峥;陈海红
    摘要
      一种层叠了多层半导体集成电路芯片的层叠型半导体装置,各半导体集成电路芯片包括:保持被电气性写入的自己的识别信息的保持电路;在层叠了多层半导体集成电路芯片的状态下,在保持电路上设定自己的识别信息的识别信息设定电路;用于在保持电路上设定自己的识别信息才至少一个设定端子;其中,各半导体集成电路芯片对应的设定端子之间都共同连接。
    主权项
      权利要求书 1.一种层叠了多层半导体集成电路芯片的层叠型半导体装 置, 上述各半导体集成电路芯片,包含: 保持电路,用于保持电气写入的自己的识别信息; 识别信息设定电路,用于在层叠了上述多层半导体集成电路 芯片状态下,在上述保持电路上设定自己的识别信息;以及 用于在上述保持电路上设定自己的识别信息的至少一个设定 端子; 其中,对应于上述半导体集成电路芯片的设定端子都共同地 连接。
         

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