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1R31/28
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.25 JP 291653/2001
申请(专利权)人：
三菱电机株式会社;三菱电机工程株式会社
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
铃木隆信;鹤田环;林克茂
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
刘宗杰;王忠忠
摘要
本发明的课题是，提供在多位测试时防止基于构成数据总线的相邻的布线间产生的耦合噪声的误判断的半导体存储器。在存储器芯片内设置了多个存储器阵列存储体的半导体存储器中，在连接构成上述各存储器阵列存储体的多个存储器阵列和在各存储器阵列与外部之间进行信息数据的传送的输入输出电路的、由多条布线构成的数据总线上，设置源极侧与上述各布线相连接而漏极侧接地的N沟道晶体管，在对多个存储器阵列同时进行数据写入和读出的多位测试时，使上述N沟道晶体管导通，以使构成数据总线的各布线接地。
主权项
权利要求书
1.一种半导体存储器，它是在存储器芯片内设置多个存储器阵
列存储体，交替使用各存储器阵列存储体的存储体切换方式的半导体
存储器，其特征在于，包括：
构成上述存储器阵列存储体的多个存储器阵列；
在上述各存储器阵列与外部之间进行信息数据的传送的输入输出
电路；
由相邻配置的多条布线构成的、连接上述各存储器阵列和输入输
出电路的数据总线；以及
在上述数据总线上设置的、漏极侧与构成该数据总线的布线相连
接而源极侧接地的N沟道晶体管，
在对多个存储器阵列同时进行数据写入和读出的多位测试时，上
述N沟道晶体管导通，使构成上述数据总线的各布线接地。
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