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分 类 号：
H01L31/04
颁 证 日：
优 先 权：
2001.9.28 JP 2001－300462;2002.3.19 JP 2002－076978;2002.8.19 JP 2002－237965
申请(专利权)人：
三洋电机株式会社
地 址：
日本大阪
发 明 (设计)人：
丸山荣治;马场俊明
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
永新专利商标代理有限公司
代 理 人：
夏青
摘要
作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。
主权项
权利要求书
1、一种光生伏打元件，包括：
包含非晶半导体或微晶半导体的半导体层；和
由掺杂杂质的氧化铟膜构成的透明导电膜，所述透明导电膜设置
在所述半导体层的光入射侧上，
其中，所述透明导电膜的(222)晶面取向度不小于1.0。
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