边沿发光半导体激光器及半导体激光器模件<%=id%>

分类号： H01S5/00;G02B6/26
颁证日：
优先权： 2001.9.21 JP 288456/2001
申请(专利权)人：日本电气株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：千田浩明
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：穆德骏;关兆辉
摘要
　一种边沿发光半导体激光器，其以简单的结构抑制“波束控制”来提高它的最大输出。作为共振器的光波导管包括有源层和覆层。与波导管的一端相连的第一边沿作为发射边沿。与波导管的另一端相连的第二边沿位于与第一边沿相对的一侧。波导管包括至少两个宽度不同的部分，至少两个部分中的一个为基本模式部分。电流注入抑制装置被用来抑制或控制注入位于基本模式部分的至少一部分内的有源层的电流。电流注入抑制装置最好由电流阻挡层、限流掩模层或无源波导区制成。
主权项
　权利要求书 1.一种边沿发光半导体激光器，包括：包括有源层和覆层的光波导管，该波导管起共振器的作用；与波导管的一端相连的第一边沿，该第一边沿作为发射边沿；与波导管的另一端相连的第二边沿，该第二边沿位于与第一边沿相对的一侧；该波导管包括至少两个宽度不同的部分，至少两个部分中的一个为允许传播基本模式的基本模式部分；以及电流注入抑制装置，用于抑制注入位于基本模式部分的至少一部分内的有源层的电流。

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明