带有温度补偿电路的半导体器件<%=id%>

分类号： H03F1/30
颁证日：
优先权： 2001.10.9 JP 311594/2001
申请(专利权)人：富士通株式会社
地址：日本神奈川
发明 (设计)人：難波広美;美濃部賢一
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
摘要
　一种带有温度补偿功能而不需要额外的安装空间的半导体器件与一种精确检测温度变化而不需要额外的安装空间的温度变化检测器件。一个传感器单元由具有某个温度系数的第一半导体元件(第一型电阻器)与具有一个不同的温度系数的第二半导体元件(第二型电阻器)组成。它们位于一个需要温度补偿的处理电路的附近。通过一个观测构成传感器单元的第一与第二半导体元件的某个特性(例如电阻)的温度变化检测器来检测处理电路的温度变化。一个温度校正器根据由温度变化检测器提供的检测结果校正处理电路的功能。
主权项
　权利要求书 1.一种半导体器件包括： (a)一个执行预定功能的处理电路； (b)一个位于所述处理电路附近的传感器单元，包括：一个第一半导体元件，与一个具有与所述第一半导体元件不同的温度系数的第二半导体元件； (c)一个通过观测构成所述传感器单元的所述第一与第二半导体元件的某个特性的变化来检测温度变化的温度变化检测器； (d)一个修正所述处理电路的一个电路参数以补偿由所述温度变化检测器检测到的温度变化的温度校正器。

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