承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法<%=id%>

分类号： C12Q1/68
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：华东师范大学
地址： 200062上海市中山北路3663号
发明 (设计)人：朱自强;朱建中;陈少强
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海德昭专利事务所
代理人：程宗德
摘要
　一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法，属基因(DNA)芯片制备技术领域，制备步骤包括：多孔硅衬底的原料；形成区域阻挡层；阳极氧化形成多孔硅；继续阳极氧化；清洗干燥制得成品，用该法制备的多孔硅衬底有分子探针的固定效率高和承载cDNA芯片微阵列的阵列密度高的优点，特别适于用来制备承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底。
主权项
　权利要求书 1.一种承载高集成度cDNA微阵列的多孔硅衬底的制备方法，其特征在于，制备步骤包括：第一步多孔硅衬底的原料清洁的单面抛光硅片3；第二步形成区域阻挡层在硅片3的抛光面上，用金属掩模或离子注入技术形成区域阻挡层，该阻挡层具有硅片3承载高集成度cDNA微阵列的微阵列单元图案，微阵列单元处为不受金属掩模保护或无离子注入的局部区域，微阵列单元呈正方形，边长介于200nm～500μm，相邻单元间隔介于 200nm～500μm；第三步阳极氧化形成多孔硅把经上步处理的硅片3置于阳极氧化槽1内，阳极氧化槽1内注有腐蚀液2。腐蚀液2的配方为HF∶H2O∶C2H5OH＝1～2体积∶ 1体积∶2～4体积。其中HF为40％分析纯氢氟酸，H2O为去离子水，C2H5OH为分析纯无水乙醇，两铂电极4间接稳流电源5，稳流电源5输出电流的电流密度为1～30mAcm-2，硅片3的抛光面与稳流电源5的负极相对，阳极氧化时间为5～30分钟，硅片3上的微阵列单元处形成多孔硅；第四步继续阳极氧化用含H2O2的去离子水氧化液取代腐蚀液2，微阵列单元氧化液的配方为H2O2∶H2O＝1～10体积∶100体积，继续进行阳极氧化 2～6分钟，然后用去离子水将硅片3清洗干净，110℃下烘干后冷却至室温；第五步清洗干燥制得成品将经上步处理的硅片3置于1％的3-氨丙基三甲氧基硅烷95％丙酮溶液中浸泡1～5分钟，取出用丙酮洗涤3～15次，110℃下 2 烘30分钟后自然冷却至室温，至此制得成品，即承载高集成度 cDNA微阵列的多孔硅衬底。 3

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