溅射靶<%=id%>

日：
优先权： 2001.10.12 JP 315156/2001;2001.11.20 JP 354642/2001
申请(专利权)人：东曹株式会社
地址：日本山口县
发明 (设计)人：内海健太郎;原慎一;长崎裕一
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：胡强;杨松龄
摘要
　提供在抽真空或开始溅射时及在溅射过程中不开裂的ITO溅射靶。尤其是没有上述开裂的、靶短轴是长轴的0.7倍-1.0倍的单片式ITO溅射靶或长度达宽度4倍以上的细长多段形ITO溅射靶。作为构成多段ITO溅射靶的ITO烧结体地采用威氏硬度为700以上-800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上-250兆帕以下的烧结体，接合ITO烧结体和衬板的焊剂层厚度为0.5毫米以上-1毫米以下地构成多段ITO溅射靶。在靶全长达宽度4倍以上的细长多段形ITO溅射靶中，两块烧结体以预定间隙邻接的分割部的所述间隙的宽度为0.4毫米以上-0.8毫米以下。
主权项
　权利要求书 1、溅射靶，它实际上是在单块衬板上接合由铟、锡和氧构成的多块烧结体而形成的多段靶，其特征在于，所述烧结体的成氏硬度为700 以上-800以下，与在成为烧结体溅射面的面上进行的磨削加工的磨削方向平行地施加负荷而测定的3点抗弯强度为200兆帕以上-250兆帕以下，并且接合所述烧结体与衬板的焊剂层的厚度为0.5毫米以上-1 毫米以下。

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