直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置<%=id%>

分类号： C30B27/02
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
地址： 100088北京市新街口外大街2号
发明 (设计)人：屠海令;周旗钢;张果虎;吴志强;戴小林
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京元中专利事务所
代理人：母宗绪
摘要
　本发明涉及自熔融液提拉法的单晶生长中气流的控制方法及装置，是直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置，解决了晶体生长室中含有一氧化硅的氩气气流的控制问题。在单晶炉晶体生长室内的石墨发热体和保温筒间装有密封导气装置，使含有一氧化硅的氩气气体的气流经密封导气装置的导气管及排气口，在真空泵的作用下，排出炉外。密封导气管装置由导气管、底座、密封环、排气口所组成，安装在石墨发热体和保温筒之间。由于控制了硅晶体生长室中气体的流动方式，延长了石墨发热体，石英坩埚支持器的使用寿命，减少了晶体的回熔次数，降低了原材料及电能的消耗，降低了生产成本，增加了单位时间内单晶硅的产量。
主权项
　权利要求书 1.一种直拉硅单晶炉热场的气流控制方法，其特征是，在单晶炉晶体生长室内的石墨发热体和保温筒之间装有密封导气装置，密封导气装置的导气管上端口位于石墨发热体的上端部位，含有一氧化硅的氩气气体流经导气管的上端口及与导气管下端口相连的排气口(9)，在真空泵的作用下，排出炉外。

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