降低缓冲区掏空发生频率的方法<%=id%>

分类号： G11B19/00;G11B7/00;G11B20/10
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：建兴电子科技股份有限公司
地址：中国台湾
发明 (设计)人：陈凌风
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京集佳专利商标事务所
代理人：王学强
摘要
　本发明提供一种降低缓冲区掏空发生频率的方法，通过改变光驱的盘片刻录速度来降低缓冲区掏空(BURN)发生的次数；一开始光驱从操作系统或应用程序中接收要刻录的数据，当接收的数据量达某一临界值时即激活刻录动作，并记录此时的时间值与在缓冲区(Buffer)内的数据量，当发生BURN时，则将此时的时间值与之前记录的数据量、时间值等作运算，以获得系统传送数据的速度与光驱刻录速度的差值，以最佳化光驱的刻录速度，进而提高盘片刻录的品质与效率。
主权项
　权利要求书 1、一种降低缓冲区掏空发生频率的方法，应用于发生降低缓冲区掏空(BURN)时能继续进行刻录动作的光驱，其特征是，该方法包括下列步骤： (a)激活刻录动作，并记录此时的时间值n、缓冲区内的数据量 X与光驱刻录速度V1； (b)发生缓冲区掏空时，记录此时的时间值T2； (c)由上述T1、T2、X及V1计算出系统传送数据的速度V2； (d)判定V1减V2是否大于某一临界值，若是，则在重新激活刻录动作时降低光驱的刻录速度；以及 (e)在所有的数据都写入盘片后即结束刻录动作。

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