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颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.12 US 09/974818
申请(专利权)人：
惠普公司
地 址：
美国加利福尼亚州
发 明 (设计)人：
V·V·奥斯波夫
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代 理 人：
程天正;张志醒
摘要
冷电子发射极(200、200-1、200-2、200-3、200-12、200-13)可以包括n+重掺杂的宽带隙区(WBG)(220)、p掺杂WBG区(230)、及低功函数金属层(240)(n+-p-M结构)。此结构的改进包括p区(230)与M金属层(240)之间的p+重掺杂区(235)(n+-p-p+-M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于p掺杂区(230)或p+重掺杂WBG区(235)在与低功函数金属接触时起负电子亲和性材料的作用，故有可能得到大电流密度。由于发射极利用了比较低的抽取电场，故具有n+-p-M和n+-p-p+-M结构的注入发射极是稳定的，且不受来自被加速离子的沾污和/或吸收的影响。这些结构可以用目前的现有技术工艺来制造。
主权项
权利要求书
1.一种电子发射极(200、200-1、200-2、200-3、200-12、200-13)，
它包含：
n+区(220)；
形成在所述n+区(220)中(或其上)的p区(230)；以及
形成在所述p区(230)上的金属层(240)。
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