大电流雪崩和注入隧穿半导体-介质-金属稳定冷发射极<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.12 US 09/975297
申请(专利权)人：惠普公司
地址：美国加利福尼亚州
发明 (设计)人： V·V·奥斯波夫
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：程天正;梁永
摘要
　冷电子发射极(200、200-1、200-2)包括p型重掺杂的半导体(230)、介质层(245)及金属层(240)(p-D-M结构)。此结构的改进包括p区(230)下方的n+型重掺杂区(220)(n+-p-D-M结构)。这些结构使得可兼有大电流发射和稳定耐久的工作。由于在跨越介质层(245)的一定电压降下对于积累在介质层(245)附近p区(230)内耗尽层中的准平衡“冷”电子，实现了有效的负电子亲和性，能够得到大电流密度。由于p-D-M结构中的雪崩或n+-p-D-M结构中的注入过程而产生这些电子。这些发射极由于利用真空区中较低的抽取电场而很稳定，且不受来自被加速离子的沾污和吸收的影响。这些结构可用现有技术工艺来制造。
主权项
　权利要求书 1.一种电子发射极(200、200-1、200-2)，它包含： p区(230)；制作在所述p区(230)上的介质层(245)；以及制作在所述介质层(245)上的金属层(240)。

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