回收离子注入掺杂剂量监控片的方法<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
地址： 201203上海市浦东新区张江路18号
发明 (设计)人：苏俊铭;宋建鹏;肖天金;黄晋德
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海新天专利代理有限公司
代理人：马连富
摘要
　本发明涉及一种回收，再利用监测衬底片离子注入掺杂剂量监控片的工艺方法。回收监控片的方法，包含步骤：a)在全新或回收的监控片上沉积屏蔽层；b)离子注入沉积有屏蔽层的监控片c)利用热波仪对离子注入监控片进行热波(Thermal wave)值测量。d)用氢氟酸蒸气除去屏蔽层，回收监控片，作再次监控使用。本发明工艺所用屏蔽层包含氧化层。但只要反射率明确已知的材料均可用作屏蔽层。另外，本发明方法同时装上全新监控片进行灵敏度及重复性比较。通过比较验证说明本发明回收方法是一种实用、有效的工艺方法。
主权项
　权利要求书 1.一种回收离子注入掺杂监控片的工艺方法，包括监控片、屏蔽层、离子注入掺杂工艺以及热波测量仪，其特征在于工艺方法如下： a)在监控片上沉积屏蔽层； b)掺杂离子注入监控片； c)破坏值测量掺杂离子注入监控片； d)去除监控片上的屏蔽层，回收离子注入掺杂监控片。

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