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分 类 号：
H01L21/302
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.15 JP 316762/2001
申请(专利权)人：
新光电气工业株式会社
地 址：
日本长野
发 明 (设计)人：
真篠直宽
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市中咨律师事务所
代 理 人：
吴鹏;马江立
摘要
通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
主权项
权利要求书
1.通过向硅基片照射激光束而在其一侧上有形成的导电图形的硅基片
中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤：
在硅基片的一侧形成用于防护导电图形的防护膜，
在包括防护膜顶部的硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属
镀膜，
向由防护膜及金属镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅
基片中形成通孔或凹陷，
剥离金属镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边的金属镀膜上的碎片，
这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，以及
使用不损坏防护膜的清除溶液，清除沉积在通孔或凹陷内壁上的沉积
物，这些沉积物是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
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