能高精度地控制抛光时间的抛光方法和抛光装置<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.19 JP 321534/2001
申请(专利权)人：日本电气株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：柿田真一郎
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人：穆德骏;关兆辉
摘要
　本发明提供一种对在绝缘膜(1)上形成铝布线(2)、氧化硅膜(3)的试作晶片进行化学机械抛光的抛光方法和抛光装置。当氧化硅膜(3)的凹凸消失时，中止抛光。根据其结果，由下式(I)确定抛光时间：T＝(D1-D2)/v+t1 (I)，其中D1是中止抛光时的膜厚，D2是目标膜厚，t1是从初始膜厚到膜厚D1所需的时间，v是在平整的基底上成膜的氧化硅膜(3)的构成材料的抛光速度。
主权项
　权利要求书 1.一种抛光方法，将设置在具有凹凸的晶片表面上的膜化学机械抛光至目标膜厚，其特征在于，利用对与抛光对象晶片种类相同的试作晶片进行抛光过程中所得到的抛光数据，求出抛光前半程所需的预测时间，然后利用在平整的基底上成膜的上述膜的构成材料的抛光速度，求出抛光后半程所需的预测时间，将上述所需的预测时间相加所得到的值作为抛光时间，对抛光对象晶片进行化学机械抛光。

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