形成金属硅化物的方法<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发明 (设计)人：杨添助
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：任永武
摘要
　本发明有关一种形成金属硅化物的方法，它包括：提供表面为起伏不平半导体结构覆盖的底材；形成硅层在半导体结构上，硅层与半导体结构的轮廓大致相当；以蚀刻程序处理硅层使得硅层轮廓较半导体结构轮廓圆滑；形成金属层在硅层上；执行热处理程序使得金属层与硅层反应形成金属硅化物层，此金属硅化物可作为金属硅化物导线用。本方法还可采用以下步骤：提供具有起伏不平第一表面的底材；以蚀刻程序处理底材使得底材具有较第一表面轮廓圆滑的轮廓的第二表面；形成硅层在第二表面上，硅层与第二表面的轮廓大致相当；形成金属层在硅层上。
主权项
　权利要求书 1.一种形成金属硅化物的方法，其特征在于至少包括：提供一底材，所述的底材表面为一起伏不平的半导体结构所覆盖；形成一硅层在所述的半导体结构上，所述的硅层的轮廓与所述的半导体结构的轮廓大致相当；以一蚀刻程序处理所述的硅层，借以使得所述的硅层的轮廓较所述的半导体结构的轮廓来得圆滑；形成一金属层在所述的硅层上；以及执行一热处理程序，借以使得所述的金属层与所述的硅层反应而形成一金属硅化物层。

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