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颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
地 址：
201203上海市浦东新区张江路18号
发 明 (设计)人：
史望澄;陈昱升;何学缅
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海新天专利代理有限公司
代 理 人：
衷诚宣
摘要
本发明涉及一种制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法，包括衬底硅片；离子注入井区，在衬底片上形成第一导电性的第一井区与第二导电性的第二井区；在衬底片上形成场氧化区以及确定主动区域；进行离子注入形成特定导电性的场区域；生长厚氧化层；进行离子注入，调节阈值电压P与整体阈值电压N；去除厚氧化层并生长薄栅氧化层，形成栅极结构。本发明方法在生长厚氧化层后才进行离子注入调节阈值电压P与整体阈值电压N，可避免因高温生长氧化层引起的硼离子掺杂浓度分布改变。是一种实用、有效的工艺方法。
主权项
权利要求书
1.一种制造双扩散漏极高电压器件的工艺方法，
包括P型或N型硅衬底片、离子注入第一导电性的第
一井区与第二导电性的第二井区、场氧化区、主动区、
特定导电性场区、厚氧化层、离子注入调节阈值电压
P与整体阈值电压N、薄栅氧化层以及栅极，其特征
在于，工艺方法为：
a.离子注入形成第一导电性N井区，
b.离子注入形成第二导电性P井区，
c.离子注入形成特定导电性P场区域，
d.高温氧化形成厚氧化层，
e.生长厚氧化层后，进行离子注入调节阈值电
压P与整体阈值电压N，
f.去除厚氧化层，生长薄栅氧化层，
g.形成栅极。
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