半导体热处理工艺与设备及由该工艺热处理的半导体<%=id%>

分类号： H01L21/477;H01L33/00;H01S5/00;C30B33/02
颁证日：
优先权： 2001.10.17 JP 2001－319630
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社
地址：日本大阪府
发明 (设计)人：並川靖生
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：刘晓峰
摘要
　一个II-VI化合物半导体热处理工艺能降低电阻率却不会因晶格位错密度的增大而导致结晶率下降。该工艺包括以下步骤：(a)、让至少一个II-VI化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理主中与铝接触，该组由热解天生氮化物，六方晶系氮化硼，蓝宝石，刚玉，氮化铝，和多晶体金刚石组成的；(b)、在含有一个或几个II-VI化合物半导体的II族元素组成部分的气雾中对该一个或几个II-VI化合物半导体进行热处理。用上述工艺对II-VI化合物半导体进行热处理。II-VI化合物半导体热处理设备包括用于执行上述工艺的构件。
主权项
　权利要求书 1.一种II-VI化合物半导体热处理的一项工艺，该工艺包括工序： (a)、让至少一个II-VI化合物半导体在具有由从一个组中选出的至少一种物质形成的内表面的热处理室中与铝接触，该组由热解氮化硼，六方晶系氮化硼，蓝宝石，刚玉，氮化铝，和多晶体金刚石组成； (b)、在含有一个或几个II-VI化合物半导体的II族元素组成部分的气氛中对该一个或几个II-VI化合物半导体进行热处理。

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