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分 类 号：
H01L21/70
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.19 JP 2001－321559
申请(专利权)人：
精工爱普生株式会社
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
神田敦之;芳贺泰
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代 理 人：
余刚
摘要
本发明涉及一种高效率地在同一衬底上形成高压MOS晶体管与低压MOS晶体管，同时又可以减小对各晶体管特性损坏的技术。在衬底(100)上形成的第一氧化膜(110)及第二氧化膜(112)中，去除全部低压晶体管区LV的氧化膜，而保留全部高压晶体管区HV的氧化膜。然后，在衬底(100)的全部表面，当用于侧壁的第六氧化膜(119)形成后，在全部高压晶体管区HV形成抗蚀膜(R17)，实施过度蚀刻直至露出低压晶体管区LV的衬底(100)，只在低压晶体管区LV侧形成侧壁，让高压晶体管区HV侧的氧化膜(119)存留。其后，利用抗蚀膜(R15B)，通过蚀刻将不需要的氧化膜(119)和(112)去除，在高压nMOS区HVn的元件形成区，分别打开应成为漏极区与源极区的漏极-源极形成区。不必去除抗蚀膜(R15B)，向开口的漏极-源极形成区引入n型杂质离子。
主权项
权利要求书
1.一种半导体装置制造方法，用于制造在同一半导体衬底上具有
不同漏极耐压能力的高压MOS晶体管与低压MOS晶体管的
半导体装置，所述制造方法的特征在于包括以下步骤：
(a)在所述衬底的上方已形成的第一绝缘膜上形成栅
极；
(b)在已形成的所述栅极的侧面形成侧壁；
(c)通过引入杂质元素，形成漏极区及源极区；
所述步骤(b)中包括，
(b1)在包含所述栅极的所述衬底的表面形成第二绝缘
膜；
(b2)形成覆盖与所述高压MOS晶体管对应区域的第
一掩膜；以及
(b3)利用已有的所述第一掩膜，在所述衬底上已形成
的所述绝缘膜内，通过蚀刻与所述低压MOS晶体管对应区域
的所述第二绝缘膜，在所述低压MOS晶体管的所述栅极的侧
面，形成由所述第二绝缘膜产生的侧壁。
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