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分 类 号：
H01L23/532;H01L21/768;H01L21/285
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.19 JP 321287/2001
申请(专利权)人：
日本电气株式会社
地 址：
日本东京
发 明 (设计)人：
本山幸一
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代 理 人：
穆德骏;关兆辉
摘要
一种半导体器件，包括：第一Cu互连层，形成在其上的层间绝缘膜，形成在层间绝缘膜中以便露出部分第一Cu互连层的通路孔，和形成在通路孔内并与第一Cu互连层连接的Cu通路124。在Cu通路的侧表面上层叠TaN阻挡膜和Ta阻挡膜，仅Ta阻挡膜形成在其底表面下。TaN阻挡膜和层间绝缘膜之间的粘结强度强，Ta阻挡膜和铜之间的粘结强度强。两个阻挡膜都防止了由于Cu扩散而导致的Cu污染，同时，增强了Cu和层间绝缘膜在Cu通路侧表面处的粘结强度，以便防止铜通路脱开。此外，在Cu通路的底表面处，阻挡膜增强了第一Cu互连层和Cu通路之间的粘结强度，抑制了Cu原子在Cu通路和第一Cu互连层之间的界面处的移动，从而增强了抗电子迁移和热应力的能力，减小了其间的接触电阻。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，包括：
由Cu或Cu合金形成的下互连层；
覆盖所述下互连层的层间绝缘膜；
形成在所述层间绝缘膜中以便露出一部分所述下互连层的通路
孔；
通过在所述通路孔内形成铜或铜合金而形成的Cu通路，该Cu
通路与所述下互连层连接；和
第一阻挡膜和第二阻挡膜，两个阻挡膜都形成在所述铜通路的侧
表面上并且彼此相对层叠，所述第一阻挡膜位于所述层间绝缘膜一侧
上，并且所述第一阻挡膜和所述层间绝缘膜之间的粘结强度比所述第
一阻挡膜和所述铜通路之间的粘结强度强，所述第二阻挡膜位于所述
铜通路一侧上，并且所述第二阻挡膜和所述铜通路之间的粘结强度比
所述第二阻挡膜和所述层间绝缘膜之间的粘结强度强，所述第二阻挡
膜还形成在所述铜通路的底表面下。
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