具有防治闭锁功能的静电放电保护电路<%=id%>

分类号： H01L23/60;H01L27/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发明 (设计)人：赖纯祥;刘孟煌;苏醒;卢道政
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：陈亮
摘要
　电性耦接至界面端与元件区的静电放电保护电路，至少包含第一双载子连接晶体管、第二双载子连接晶体管、第一金氧半晶体管与第二金氧半晶体管。两个双载子连接晶体管形成现有的硅控整流器，第一金氧半晶体管位于界面端与第二双载子连接晶体管间而第二金氧半晶体管连接第二双载子连接晶体管发射极到电压相对低点，并且两个金氧半晶体管的栅极皆电性耦接到与元件区工作电压相等的电压基准点。当元件区未被启动时，硅控整流器会被闭锁而提供静电放电保护功能；当元件区启动时，第二金氧半晶体管被导通而使部份流向第二双载子金氧半晶体管的电流改流到电压相对低点，减少二双载子连接晶体管间正回馈，进而消除硅控整流器的闭锁。
主权项
　权利要求书 1.一种具有防治闭锁功能的静电放电保护电路，该静电放电保护电路电性耦接至一界面端与一元件区，该静电放电保护电路至少包括：一井区，该井区系位于一底材中，该井区具有一第一导电性而该底材具有一第二导电性；一第一掺杂区域，该第一掺杂区域系位于该井区中并电性耦接至该界面端，该第一掺杂区域具有该第二导电性并且其掺杂浓度较该井区的掺杂浓度大：一第二掺杂区域，该第二掺杂区域部份位于该井区中而部份直接位于该底材中，该第二掺杂区域不与该第一掺杂区域直接接触，该第二掺杂区域具有该第二导电性并且其掺杂浓度较该井区的掺杂浓度大：一栅极，该栅极系位于该井区上，该栅极亦位于该第一掺杂区域与该第二掺杂区域之间；一第三掺杂区域，该第三掺杂区域位于该井区中并电性耦接至该界面端，该第三掺杂区域不与该第一掺杂区域直接接触并且与该第二掺杂区域系位于该第一掺杂区域的两侧，该第三掺杂区域具有该第一导电性并且其掺杂浓度较该井区的掺杂浓度大；一第四掺杂区域，该第四掺杂区域系直接位于该底材中并且不与该第二掺杂区域直接接触，该第四掺杂区域与该第一掺杂区域系位于该第二掺杂区域的两侧，该第四掺杂区域并电性耦接至一第一电压相对低点，该第四掺杂区域具有该第一导电性且其掺杂浓度较该底材的掺杂浓度大；一第五掺杂区域，该第五掺杂区域直接位于该底材中并且不与该第四掺杂区域直接接触，该第五掺杂区域与该第二掺杂区域位于该第四掺杂区域的两侧，该第五掺杂区域并电性耦接至该第一电压相对低点，该第五掺杂区域具有该第二导电性且其掺杂浓度较该底材的掺杂浓度大；一电压基准点，该电压基准点的电压与该元件区之一工作电压相等；以 2 及一金氧半晶体管，该金氧半晶体管的漏极与该第二掺杂区域电性耦接，该金氧半晶体管的源极与一第二电压相对低点电性耦接，而该金氧半晶体管的栅极电性耦接到该电压基准点，该金氧半晶体管的源极与漏极皆具有该第一导电性。 3

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