单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法<%=id%>

分类号： H01L27/00;G11C11/14
颁证日：
优先权： 2001.10.18 KR 64389/2001
申请(专利权)人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
发明 (设计)人：金东煜;柳寅儆;石重铉;李俊冀
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：李晓舒;魏晓刚
摘要
　本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。
主权项
　权利要求书 1.一种单晶体管型磁随机存取存储器，包括：衬底；第一和第二掺杂区，该第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成，且彼此隔离；栅极介电层，该栅极介电层形成在半导体衬底的在第一和第二掺杂区之间的部分上；磁隧穿结，该磁隧穿结形成在栅极介电层上；字线，该字线形成在MTJ上，并在第一方向上延伸，该第一方向是与第二掺杂区相同的方向；位线，该位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区；以及绝缘层，该绝缘层用于覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开，其中，第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。

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