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分 类 号：
H01L27/088;H01L21/822
颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.11 JP 314164/2001
申请(专利权)人：
株式会社东芝
地 址：
日本东京都
发 明 (设计)人：
親松尚人
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
王永刚
摘要
本发明的特征在于：用由勒本松法得到的Trim掩模和Alt掩模形成具有不同膜厚的栅极后氧化膜的2种微细的MOS晶体管。具备：具有栅极宽度Le的栅极电极28、和设置在该栅极电极的周围侧面上的栅极后氧化膜30的第1 MOS晶体管；具有比上述第1 MOS晶体管的栅极电极的栅极宽度Le小的栅极宽度Li的栅极电极32，和设置在该栅极电极的周围侧面上、至少一部分与上述栅极后氧化膜30不同的膜厚的栅极后氧化膜33的第2 MOS晶体管。
主权项
权利要求书
1.一种半导体器件，其特征在于具备：
具有栅极宽度Le的栅极电极、和设置在该栅极电极的周围侧面上
的第1栅极后氧化膜的第1MOS晶体管；
具有比上述第1MOS晶体管的栅极电极的栅极宽度Le小的栅极
宽度Li的栅极电极，和设置在该栅极电极的周围侧面上、至少一部分
与上述第1栅极后氧化膜不同的膜厚的第2栅极后氧化膜的第2MOS
晶体管。
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