三维集成存储器<%=id%>

分类号： H01L27/10;H01L27/00;H01L21/66;H01L27/112;H01L23/525
颁证日：
优先权： 2001.10.7 US 60/328,119;2002.2.1 US 60/354,313;2002.4.8 CN 02113586X;2002.5.15 CN 021137382
申请(专利权)人：张国飙
地址： 610051四川省成都市跳蹬河邮局001信箱
发明 (设计)人：张国飙
国际申请：
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摘要
　在三维集成存储器(3DiM)中，三维存储器(3D-M)与常规的可读可写存储器和/或数据处理器集成在一个芯片上。3DiM的整体性能(如速度、成品率、可编程性和数据的安全性)远较分离(standalone)的3D-M优良。本发明提出了多种提高3D-M可集成性的方法。3DiM的一重要应用领域为集成电路测试：载有测试数据的3D-M可以与被测试电路集成在一起，从而实现现场自测试和同速测试。
主权项
　权利要求书 1.一种三维集成存储器，其特征在于含有：一衬底电路(0s)，所述衬底电路(0s)含有一衬底集成电路(0SC)和一第一地址解码器 (12，18/70)，该衬底集成电路(0SC)含有一嵌入式可读可写存储器(82)和/或一嵌入式数据处理器(88)；一三维存储器(0)，该三维存储器(0)的至少一三维存储层(100)堆叠在该衬底电路 (0s)上方，所述三维存储层(100)通过多个接触通道口(20v)与所述第一地址解码器相连。

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