一种具有平坦式区块选择晶体管的高密度掩模式非挥发性存储器阵列结构<%=id%>

颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司
地址：台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发明 (设计)人：陈景文;倪福隆;杨念钊
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：上海专利商标事务所
代理人：陈亮
摘要
　本发明主要的目的在于提供一种具有平坦式(flat-type)结构的只读存储器阵列(memory array)，其包括：至少两存储器区块(memory bank)，两存储器区块具有多个存储器单元(memory cell)；至少两个外连区块(inter-bank)选择晶体管连接至两存储器区块，并为两存储器区块所共享(share)，每一外连区块选择晶体管可以选择两存储器区块的存储器单元；及至少一接触(contact)经由两外连区块选择晶体管共连接至两存储器区块。
主权项
　权利要求书 1.一种具有平坦式结构的只读存储器阵列，该存储器阵列包括：至少两存储器区块，该两存储器区块具有多个存储器单元；至少两个外连区块选择晶体管连接至该两存储器区块，并为该两存储器区块所共享，每一外连区块选择晶体管可以选择该两存储器区块的这些存储器单元；及至少一接触经由该两外连区块选择晶体管共连接至该两存储器区块。

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