|
|
|
|
|
|
|
|
分 类 号：
H01L29/78;H01L27/112
颁 证 日：
优 先 权：
申请(专利权)人：
旺宏电子股份有限公司
地 址：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号
发 明 (设计)人：
张国华;邱珍元
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
上海专利商标事务所
代 理 人：
陈亮
摘要
本发明揭露了一种高效能栅极氮化物只读存储器的结构。本结构包含隧道(tu el)氧化层在底材上，接着，非晶硅层在隧道氧化层上，再者，多晶硅锗层在非晶硅层上，然后，内多晶硅介电层在多晶硅锗层上。最后，多晶硅层在内多晶硅介电层上。
主权项
权利要求书
1.一种在底材上的栅极结构，该栅极结构包含：
一隧道氧化层，在该底材上；
一非晶硅层，在该隧道氧化层上；
一多晶硅锗层，在该非晶硅层上；
一内多晶硅介电层，在该多晶硅锗层上；及
一多晶硅层，在该内多晶硅介电层上。
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
