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r> 颁 证 日：
优 先 权：
2001.10.9 KR 62079/2001
申请(专利权)人：
三星电子株式会社
地 址：
韩国京畿道
发 明 (设计)人：
金泰根;南玉铉
国 际 申 请：
国 际 公 布：
进入国家日期：
专利 代理 机构：
北京市柳沈律师事务所
代 理 人：
巫肖南;封新琴
摘要
本发明涉及一种半导体激光二极管及其制造方法。该半导体激光二极管包括基材，形成于基材两侧的掩膜，形成于掩膜之间的基材上的发光层，分别形成于掩膜上的阻流层，分别形成于基材底表面和发光层顶表面的第一和第二电极。发光层和阻流层通过单次生长同时形成，并且阻流层将电流和光限制在发光层的横向上。由此，可以简化半导体激光二极管的制造方法，并且可以降低激光振荡的阈值电流。
主权项
权利要求书
1.一种半导体激光二极管，包括：
基材；
形成于基材两侧的掩膜；
形成于掩膜之间的基材上的发光层；
分别形成于掩膜上将电流和光限制在发光层横向上的阻流层；和
分别形成于基材底表面和发光层顶表面上的第一和第二电极。
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