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倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器及其制作方法<%=id%> |
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分 类 号:
H01S5/183
颁 证 日:
优 先 权:
申请(专利权)人:
吉林大学
地 址:
130023吉林省长春市朝阳区解放大路119号
发 明 (设计)人:
杜国同
国 际 申 请:
国 际 公 布:
进入国家日期:
专利 代理 机构:
长春吉大专利代理有限责任公司
代 理 人:
张景林;张凯军
摘要
本发明涉及一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器及其制作方法,由下电极1,n-GaAs衬底2,多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2,y为0.5-1)异质薄膜下反射镜3,n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层4,GaAs有源层5,p-AlzGa1-zAs上限制层6,多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上反射镜7和上电极8,出光窗口9,离子注入高阻区10和非离子注入的电流导通区11构成。导通区11呈漏斗状,由两次钨丝垂直交叉掩膜四面倾斜离子注入形成。该激光器具有低阈值,高均匀性和成品率,低串联电阻等优点。
主权项
权利要求书
1、一种倾斜离子注入型垂直腔面发射激光器,由下电极(1),n-GaAs衬底(2),
多层1/4波长的n-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs(x为0.05-0.2,y为0.5-1)异质
薄膜下反射镜(3),n-AlzGa1-zAs(z为0.3-0.5)下限制层(4),GaAs有源
层(5),p-AlzGa1-zAs上限制层(6),多层1/4波长p-AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs上
反射镜(7)和上电极(8),出光窗口(9),可以隔离电流的离子注入高阻区
(10)和非离子注入的电流导通区(11)构成,其特征在于:离子注入高阻
区(10)下面的面积大、上面的面积小,呈倾斜状,即非离子注入的电流导
通区(11)呈上面大、下面小的漏斗状。
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