脊形波导式半导体激光器件及其制作方法<%=id%>

分类号： H01S5/22;H01S5/00
颁证日：
优先权：
申请(专利权)人：陈农
地址： 230061安徽省合肥市霍山路56号7幢604室
发明 (设计)人：陈农
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：安徽省合肥新安专利代理有限责任公司
代理人：何梅生
摘要
　脊形波导式半导体激光器件及其制作方法，层状结构，包括底座和条状脊背，底座以半导体为衬底基片，衬底基片的下层面为下部金属电极层，衬底基片的上层面依次为下部包被层、下部导波层、激光活性层、上部导波层和上部包被层；条状脊背是在条状包被层上覆盖接触层，其上表层为上部金属电极层。其特征是，作为电流通道，在位于激光活性层之上的包被层中，或是在位于激光活性层之下的下部包被层中，或是激光活性层本身，以选择性蚀刻形成宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层。本发明既能保持低成本，又能保持激光器的高性能。
主权项
　权利要求书 1、脊形波导式半导体激光器件，层状结构，包括底座和条状脊背，所述底座以半导体为衬底基片(1)，衬底基片(1)的下层面为下部金属电极层(2)，衬底基片(1)的上层面依次为下部包被层(10)、下部导波层(3)、激光活性层(4)、上部导波层(5)和上部包被层(11)；所述条状脊背是在条状包被层(6)上覆盖接触层(7)，其上表层为上部金属电极层(8)；其特征是，作为电流通道，在位于激光活性层(4)之上的包被层中，或是在位于激光活性层(4)之下的下部包被层中，或是激光活性层(4)本身，具有宽度较之条状脊背更窄、以使通过其间的激光驱动电流值更低的窄带电流限制层(9)。

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