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    声表面波装置及其制造方法<%=id%>


    分 类 号: H03H9/25;H03H9/145
    颁 证 日:
    优 先 权: 2001.10.17 JP 2001-319843;2002.9.10 JP 2002-264163
    申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
    地 址: 日本京都府
    发 明 (设计)人: 荒木信成
    国 际 申 请:
    国 际 公 布:
    进入国家日期:
    专利 代理 机构: 上海专利商标事务所
    代 理 人: 赵国华
    摘要
      本发明揭示一种能够减低插入损耗,同时具有良好耐气候性,可降低成本的声表面波装置及其制造方法。在压电基板1a上设置了叉指形电极部。利用ECR溅射法,将用于提供耐气候性的由氮化硅膜、氧化硅膜以及氧化氮化硅膜中的至少一种构成的机能膜4,成膜在叉指形电极部1b上的至少一部分中。
    主权项
      权利要求书 1.一种声表面波装置,其特征在于, 在压电基板上设置叉指形电极部, 用于提高耐气候性的由氮化硅膜、氧化硅膜及氧化氮化硅膜的至少一种构 成的机能膜,成膜在叉指形电极部上的至少一部分中, 至少在一部分具有透湿性的构件中,设置了内装具有叉指形电极部及机能 膜的压电基板的管壳, 利用电子回旋加速器共振溅射法,形成所述机能膜。
         

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