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    存储器在设计上的突破可以使计算机运行得更快<%=id%>

    还具有许多其他的优点,例如,它的操作速度比普通的存储器更快,但是却仅消耗1%的能量。然而现在所面临的挑战却是如何设计出一个快速、可靠及廉价的方式来建立稳定及密布的磁性存储细胞。
      约翰霍普津斯大学的一个研究小组已提出了一个可能的解决答案:利用微小、不规则形状的钴或镍环,它们可充当存储细胞。他们的文章发表在1月13号的Physical Review Letters上。这些“纳米环”可以存储大量的信息。同时它们对“迷路”磁场所导致的问题还具有免疫力。所谓“迷路”的磁场是指从其他类型的磁体中“逃逸”出来的磁场,并对相邻的磁场产生干扰。
      文章的作者之一、Frank Q. Zhu说,“突破就在于这是一种非对称的设计,我们对于提出这种快速、有效及廉价的制作方法倍感振奋。”
      这些纳米环非常小,直径只有大约100纳米。一纳米是一米的十亿分之一,因此人的一根头发可以支撑起100万个这种大小的环,Zhu说。
      这种非对称的设计使得更多的纳米环以“涡流态”结束,这意味着它们不再具有迷路的磁场。由于不存在迷路的磁场,Zhu的研究小组所设计的纳米环就好像互不打扰的邻居,这样,它们就可以相当紧密地互相填充。结果,在给定区域内可储存的信息量便大大增加了。
      制作这种纳米环需要多级步骤,包括自组装、薄膜沉积及干燥蚀刻。Zhu称,预创造出不规则的环,其关键在于最后一步中,当利用氩离子束对环进行蚀刻时,要将形成环的基体倾斜。
      Zhu还说:“在我们以前的研究中,我们发现100纳米的对称纳米环只有大约40%的机会达到涡流态,但是非对称的纳米环达到涡流态的机会却在40%-100%之间。利用磁场的方向,我们可以根据需要控制这种机会。”

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