研究显示分子将成为新型混合芯片的存储单元<%=id%>

虽然目前混合集成电路的发展遇到了很多挑战，但是这项技术很有希望生产出存储密度极高的芯片，每平方厘米1000亿比特。
　　
... 意大利STMicroelectronics的科学家Gianfranco Cerofolini和Danilo Mascolo分析了现有技术的状况，提出了大规模生产混合非易失型存储器的最成功的方法。该研究小组的最近一期的《Semiconductor Science & Technology》杂志上发表论文指出：“我们提出了可以在0.1T比特的集成尺度上大规模生产混合集成电路的方法。所有限制这项技术发展的因素都要求现有技术进行调整，以便适应新技术。”
　　
... 在他们的混合集成电路装置中，科学家们最开始是从微电子硅芯片出发的，硅芯片上有纳米交叉点，每个交叉点上最多有一万个分子，所以它也被称为“微米-纳米-分子集成电路”。其中单个的分子起到了存储设备的作用，因为它们具有两个不同的导电状态（电压高和低），可以用来记录比特信息。每个分子都利用电子形成的电流来存储不同的状态，导通或切断。电子可以隧穿效应而抹除掉存储的信息。该研究小组在论文中说：“这些假设的分子可以模仿闪存单元的结构和功能。如果分子允许存在导电性差别很大的两种状态，那么整个结构就可以看成是一个混合纳米-微型集成电路，比特密度将达到每平方厘米1000亿。”
　　
... Cerofolini和Mascolo认为在下面两个方面还存在困难：生产成本和大规模生产。集成电路工业中，金钱比生产工艺更重要：如果你能在足够小的芯片上以可接受的成本设计出一种生产方法，那么就能得到非常广泛的应用（比如计算机、手机、PDA等），生产上也就能得到比设计成本高得多回报。
　　
... 尽管这项技术还存在很多问题，例如分子的可靠性等，这些方面都需要进一步的研究，但是Cerofolini和Mascolo仍然认为微米-纳米-分子集成电路很有发展前景。他们说：“为了把这项技术应用于实际生产还需要在以下方面进行改进：沉积技术、氧化技术和各项异性腐蚀技术，以及允许在相对短的时间内反复读写的技术。并且要求亚微米尺度上成立的化学、流变学等性质在纳米尺度上仍然成立。”
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