韩国半导体领域的科研成果<%=id%>

    在半导体基础研究方面，延世大学世界首次开发出极微细半导体技术，即对Si+O再加其他氧原子，成为SiO2。汉城大学物理学科研究出用于FRAM的核心物质--强流电体材料BLT，可替代目前制造FRAM时通常使用的PZT和SBT，并可解决PZT和SBT半导体在生产和使用过程中存在的缺陷（目前用PZT和SBT制成的半导体在反复使用过程中会出现疲劳现象，即电脑在使用中突然断电时，会造成文件丢失，重新开启电脑要等待30秒钟以上，此外，PZT和SBT在加工过程中由于温度高，加工时间长）。BLT的研究成功有可能使韩国在不远的将来在FRAM领域领先于美国和日本。目前BLT研究还有二个问题需要解决，一是合成BLT的各元素最佳配方，二是产业化合作研究。
    在半导体产业技术方面，三星电子于1999年初世界首家批量生产256MDRAM；6月，采用0.13微米技术开发成功速度为350MHz的1G DDR DRAM商用产品，比其他公司正在开发的同类产品小30%-40%；10月，采用0.15微米技术开发出具有大容量存储功能的1G Flash Memory半导体，这项技术可广泛用于MP3Player、数字相机，可存储高解相度照片560张，或高清晰度音乐32曲。三星电子还可生产出速度为150MHz的超高速网络用16M SRAM。

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