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硅基磁电阻研究取得新进展

来源:《自然》       更新时间:2011-9-28 11:16:27
 
  清华大学材料科学与工程系章晓中教授在2011年9月15日出版的《自然》(Nature)上发表了有关硅基磁电阻研究的论文《硅的低场磁电阻的几何增强》, 这也是中国首次以第一单位在Nature/Science杂志上刊登磁电阻领域的研究成果,是该领域中的一个重大突破。   章晓中研究组发现在掺杂浓度极低的硅中,可通过少数载流子注入的方式引入迁移率的空间非均匀性,从而增强IMR效应。经由少子注入,施加一定的电流,可以在硅中产生了一个少子区和多子区的边界(一个动态的p-n边界)。在这个边界附近,载流子迁移率的波动最大,因此磁电阻也得到了极大的增强。利用这一原理,章晓中教授研究组设计了一种硅基IMR的原型器件。通过调控器件的几何结构,这种器件的室温磁场灵敏度显著增强,在0.07特斯拉和0.2特斯拉下分别实现了10%和100%的磁电阻,接近了商用巨磁阻(GMR) 。   该研究工作得到了国家自然科学基金的持续资助。(来源:国家自然科学基金委员会)  

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