器件结构和电学性能在不同光电过程中随时间的变化
在国家自然科学基金委、科技部、中科院的大力支持下，化学所在多比特有机场效应晶体管存储器件研究方面取得进展，有关研究成果发表在近期的《先进材料》（Advanced Materials,2009, 21, 1954－1959)上。
有机场效应晶体管存储器件研究是有机存储器件重要的研究方向之一，因为它不仅具有晶体管的开关功能同时还能够存储信息。过去的相关研究主要集中在单比特器件上，很少涉足多比特存储领域。就市场需求，如何进一步降低成本，是其关注的重点。一般说来从工艺上有两个途径：增加器件在单位面积内的集成密度或增加单个器件的信息存储量。由于光刻工艺的限制，不可能无限的增加集成密度，因此人们越来越倾向于第二种途径。由于相关研究较少，如何来实现有机场效应晶体管的多比特存储就成为很有挑战性的研究工作。
最近，化学所有机固体院重点实验室科研人员成功研制了多比特有机场效应晶体管器件。他们巧妙地将光辅助效应和聚合物修饰场效应晶体管结构相结合，探索出实现有机场效应晶体管的多比特存储的光电工艺过程。研究发现，该工艺成功地实现了单个器件多于2比特的信息存储，同时存储时间在250小时以上。该研究成功将多比特存储概念引入有机场效应晶体管中，并得以实现，这将推动有机存储器件研究的进一步发展。 （来源：中科院化学研究所）
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