科学家确定Olmsted综合征致病基因

来自北京大学第一医院皮肤性病科等处的研究人员发表了题为“Exome Sequencing Reveals Mutations in TRPV3 as a Cause of Olmsted Syndrome ”的文章，首次确定了一种重症角化性皮肤病——Olmsted综合征的致病基因为TRPV3，并通过电生理学等方法阐明其发病机制，为皮肤角化及瘙痒机制的研究提供了全新的思路。相关成果公布在《美国人类遗传学期刊》（American Journal of Human Genetics）上。文章的通讯作者是北大医院皮肤性病科杨勇教授和李若瑜教授，共同第一作者为林志淼博士及3位研究生。该项研究是北大医院与北京大学医学部神经生理学系、北京大学深圳医院及华大基因等单位合作完成的，得到了教育部创新团队、新世纪人才计划及国家自然科学基金的支持。 Olmsted综合征是一种极为罕见的、重症角化性皮肤病，主要累及患者的掌跖部位及腔口周围，伴有脱发及剧烈瘙痒，严重影响患者外观和活动能力，甚至导致患者残疾。由于缺乏家族性病例，既往其病因学研究一直未获进展。在这篇文章中，研究人员通过与国内多家医院开展广泛合作，共收集到6例Olmsted综合征患者，其中一例为家族性患者。据此，杨勇教授等人提出该病为常染色体显性遗传病的假设，并巧妙地根据每个人的全外显子组上最多仅有1-2个新发突变的原理，在一例散发患者的核心家庭中进行全外显子组测序，发现并证实该病的致病基因为瞬时受体电位通道TRPV3。这是这一研究组继2004年在国际上首次发现原发性红斑肢痛症的致病基因为钠通道SCN9A之后，再次发现一种新的离子通道病的致病基因。他们也由此率先在国际上提出了皮肤离子通道病的概念，并以此新理念为基础深入展开创新性研究。之后研究人员进一步分析了发病机理，他们与北京大学医学部神经生理学系王克威教授领导的团队合作，开展了TRPV3基因突变后的电生理学、在体细胞凋亡及突变体细胞学毒性评估等功能学研究，最后证实了Olmsted综合征的发病机理为TRPV3基因发生功能增强型突变，导致角质形成细胞凋亡增多所致。这是继2002年TRPV3基因被克隆并成为研究热点之后，首次将TRPV3的体外功能学研究与人类疾病的病生理表现联系起来。这项研究为人体复杂的皮肤角化过程及瘙痒发生机制的研究打开了一扇新的大门。（生物通：万纹）