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有机场效应晶体管作为分子电子学/有机电子学的核心基本单元而受到全世界的广泛关注。并五苯是有机场效应晶体管（OFET）的重要化合物，具有高的迁移率和开关比。但并五苯化合物由于具有活泼的二烯单元和丰富的π电子，其稳定性差，从而限制了其应用。中科院化学所有机固体院重点实验室研究人员采用一种新的方法合成了硫杂的并五苯类似物DBTDT，该化合物显示了良好的稳定性和OFET性能（迁移率: 0.51 cm2V-1s-1；开关比: 106），有可能成为并五苯的替代物。相关结果发表在《先进材料》（Adv. Mater. 2007, 19, 3008-3011 )上，并被Advanced Materials的主编选为VIP和Advanced in Advance论文。
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